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纳米激光实现芯片上光学传输

本文摘要:在芯片间以及芯片与电路板间传输通讯讯号,是全球各地研究人员密集研究的最重要领域之一。如今,美国西雅图的华盛顿大学(UniversityofWashington)和加州史丹郎大学(StanfordUniversity)早已研发出有一种可利用电子调变修改光通讯的纳米级芯片雷射技术。 由于芯片雷射所能制作的材料大部份都和矽基板不完全相同,但研究人员们对于在标准矽芯片上统合其厚度仅有0.7nm的原子级雷射寄予厚望。

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在芯片间以及芯片与电路板间传输通讯讯号,是全球各地研究人员密集研究的最重要领域之一。如今,美国西雅图的华盛顿大学(UniversityofWashington)和加州史丹郎大学(StanfordUniversity)早已研发出有一种可利用电子调变修改光通讯的纳米级芯片雷射技术。  由于芯片雷射所能制作的材料大部份都和矽基板不完全相同,但研究人员们对于在标准矽芯片上统合其厚度仅有0.7nm的原子级雷射寄予厚望。

  目前我们在硒夹层之间利用钨光子腔,但期望未来能以氮化矽超过完全相同的结果,电子工程学教授ArkaMajumdar回应。ArkaMajumdar与研究员XiaodongXum及其博士生助理SanfengWu联合展开这项研究。    一种利用厚度仅有3个原子的超薄半导体材料,可将光子腔拓展成升空光线。

  (来源:华盛顿大学)  根据Majumdar与Wu回应,这种厚度仅约3个原子的材料是目前最厚的半导体,不仅具备超高能效,而且需要只以27nW的讯号展开电光调变,使其沦为芯片上通讯的理想自由选择。这种新材料还希望了其他研究团队,利用这种新的半导体打造出LED、太阳能电池以及电晶体。  利用这种材料制作纳米雷射,必须打造出一个可集中于光线的限光腔体,并从钨基材料层塑造成而出。这种材料的优点可加以调整,并用作在标准频率构建芯片上、芯片之间以及板级间通讯。

  接下来,该研究团队将细心地分析材料特性,以及利用氮化矽材料展开实验,希望获得更进一步的进展。  这项研究由美国空军办公室的科学研究、国家科学基金会(NSF)、华盛顿的清洁能源研究所、美国能源署以及欧洲委员会(EC)等单位获取资金赞助商。  编译器:SusanHong  (参照原文:NanolaserEnablesOn-ChipPhotonics,byR.。


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